Об образовательной программе
Направление: 28.04.01 Нанотехнологии и микросистемная техника
Профиль: Материалы микро- и наносистемной техники
Факультет радиотехники и электроники
Документы образовательной программы: развернуть свернуть
Количество мест для приема:
Бюджетных: 9Контрактных: 15
Cтоимость обучения в 2024 году: 214800 рублей в год
Экзамены:
ИнформатикаЭлектроника, радиотехника и системы связи
Проходной балл :
Обращаем внимание, что проходные баллы определяются по итогам зачисления, и каждый год могут меняться как в большую, так и в меньшую сторону.
Актуальность программы:
«Материалы микросистемной техники» – это направление, связанное с исследованием известных и новых полупроводниковых материалов, таких как графен, углеродные нанотрубки, сверхрешетки, квантовые проволоки и точки. Основной отличительной чертой направления является глубокое погружение в нанотехнологии, разработка и использование программ, моделирующих различные явления в наноструктурах, в том числе физику их роста. Магистры направления работают на самом современном научном оборудовании, включая атомные силовые микроскопы, Фурье-спектрометры, установки с фокусированными ионными и электронными пучками. Магистры направления имеют отличные возможности для подготовки и публикации научных статей высокого уровня, попадающих в высокорейтинговые зарубежные научные журналы. Направление комплектуется в основном бакалаврами с дипломами по направлению «Микро- и наносистемная техника», профиль «Нанотехнология».Трудоустройство:
Выпускники магистратуры по направлению «Материалы микро- и наносистемной техники» востребованы во многих научно-исследовательских институтах России, среди которых, в частности:- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников СО РАН»,
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт неорганической химии СО РАН».
Они также могут работать в таких зарубежных университетах и научно-исследовательских центрах, как:
- Технический университет г. Кемниц (Германия),
- Технический университет г. Дрезден (Германия),
- Институт Макса Планка (Германия),
а также в таких зарубежных корпорациях, как Quorvo, Inc.
Многие из них также могут становиться членами научных сообществ, таких как IEEE, Inc.
Выпускники чаще всего работают в качестве инженеров-конструкторов, инженеров-исследователей или младших научных сотрудников, а также поступают в аспирантуру, совмещая учебу, работу над кандидатской диссертацией и работу в качестве преподавателя.
Основные дисциплины: развернуть свернуть
- История и методология полупроводниковой микро- и нанотехнологии
- Компьютерные технологии в наноэлектронике и микросистемной технике
- Материаловедение наносистем
- Материалы и элементная база наноэлектроники
- Методы исследования микроэлектронных и наноэлектронных структур
- Микро- и наносистемы в технике и технологии
- Микропроцессорная техника
- Проектирование и технология электронной компонентной базы
- Процессы микро- и нанотехнологии
- Семинары по специальности
- Современные проблемы нанотехнологии в электронике
- Специальные главы наноэлектроники
- Специальные главы физики полупроводниковых приборов
- Технологии и методы создания наноструктур
- Физика низкоразмерных систем
- Фотоэлектроника
Места прохождения практик: развернуть свернуть
- Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, ФГБУН, г.Новосибирск
- Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, ФГБУН, г.Новосибирск
- Мотив, ООО, г.Новосибирск
Публикации студентов: развернуть свернуть
- Effect of growth temperature of NH3-MBE grown GaN-on-Si layers on donor concentration and leakage currents / D. Protasov, D. Milakhin [et al.]. - DOI 10.1016/j.jcrysgro.2023.127459 . - Text : direct // Journal of Crystal Growth. - 2024. - Vol. 626. - Art. 127459.
- Antonova I. V. Graphene/Hexagonal Boron Nitride CompositeNanoparticles for 2D Printing Technologies / I. V. Antonova, D. A. Poteryaev. - DOI 10.1002/adem.202100917. - Text : direct // Advanced Engineering Materials. - 2022. - Art. 2100917 (12 p.)
- Automation of Piezoresistive Properties Measurements of New Composite Materials / R. S. Kumarbaev, A. A. Fedorov, V. A. Ermakov, V. A. Kolodina, A. V. Nikulin, V. A. Kuznetsov. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855166. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 624-627. - ISBN 978-1-6654-9804-3. - Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foundation Grant N 21-79-00224.
- Composites of Polybenzimidazole with SWCNTs – Temperature Dependences of Resistance / V. A. Kuznetsov, A. A. Fedorov, E. N. Tkachev [et. al.]. - DOI 10.23919/MIPRO55190.2022.9803348. - Text : direct // 45 Jubilee International Convention on Information, Communication and Electronic Technology (MIPRO-2022) : proc., Opatija, Croatia, 23-27 May 2022. - IEEE, 2022. - P. 139-141. - ISBN 978-953-233-103-5.
- Conductive graphene-containing biocompatible films / A. S. Buinov, B. C. Kholkhoev, V. A. Kuznetsov, D. I. Gapich [et al.]. - DOI 10.1007/s12034-024-03261-w. - Text : direct // Bulletin of Materials Science. - 2024. - Vol. 47, iss. 3. - Art. 132.
- Detailed morphology and electron transport in reducedgraphene oxide filled polymer composites with asegregated structure / V. A. Kuznetsov, M. V. Gudkov, V. A. Ermakov, K. A. Shiyanova [et al.]. – DOI 10.1002/pssa.202300855. – Text : direct // Physica Status Solidi (A). – 2024. – Vol. 221, iss. 6. – Art. 2300855 (7 p.). – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Science and Higher Education of theRussian Federation project N 121031700314-5.
- Engineering of graphene-based composites with hexagonal boron nitride and PEDOT:PSS for sensing applications / I. V. Antonova, D. A. Poteryayev, A. A. Buzmakova [et al.]. – DOI 10.1039/D3CP05953G. – Text : direct // Physical Chemistry Chemical Physics. – 2024. – Vol. 26, iss. 9. – P. 7844–7854.
- Graphene: Hexagonal Boron Nitride Composite Films with Low-Resistance for Flexible Electronics / I. V. Antonova, D. A. Poteryaev, А. А. Buzmakova [et. al.]. - DOI 10.3390/nano12101703. - Text : direct // Nanomaterials. - 2022. - Vol.12, iss.10. - Art. 1703 (12 p.).
- High-temperature electrically conductive polymer composites with single-walled carbon nanotubes / V. A. Kuznetsov, A. A. Fedorov, B. C. Kholkhoev, E. N. Tkachev [et al.]. – DOI 10.1134/S0036023622602513. – Text : direct // Russian Journal of Inorganic Chemistry. – 2023. – Vol. 68, iss. 2. – P. 221–226. – Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foun-dation Grant N 21-79-00224.
- Kuznetsov V. A. Effect of the Type of a High-Temperature Polymer Matrix on the Morphology and Electrical Conductivity of Composites with SWCNTs / V. A. Kuznetsov, A. A. Fedorov, B. Ch. Kholkhoev, E. Yu. Gerasimov, V. F. Burdukovskii. - DOI 10.1134/S0022476623070053. - Text : direct // Journal of Structural Chemistry. - 2023. - Vol. 64, iss. 7. - P. 1212-1219.
- Mantsurova S. V. Effect of silicon surface orientation on the Au droplet motion / S. V. Mantsurova, N. L. Shwartz. - DOI 10.1016/j.surfin.2023.103193. - Text : direct // Surfaces and Interfaces. - 2023. - Vol. 41. - Art. 103193.
- Monte Carlo simulation of Ga droplet movement during the GaAs langmuir evaporation / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Semiconductors. - 2018. - Vol. 52, iss. 16. - P. 2135–2139. - DOI: 10.1134/S1063782618160340. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
- Monte Carlo Simulation of Gold Drop Formation and Movement over a Silicon Substrate / S. V. Kudrich, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz, A. A. Spirina. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855049. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 6-10. - ISBN 978-1-6654-9804-3.
- Nanolithography of Amorphous Vanadium Oxide Films Using an Atomic Force Microscope / A. I. Komonov, N. D. Mantsurov, S.V. Mutilin [et. all] ; [sci. ed. N. L. Shwartz]. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855164. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 20-24. - ISBN 978-5-7782-4288-3.
- Nastovjak A. G. Monte Carlo simulation of alternate pulsed epitaxial growth of gaas nanowires / A. G. Nastovjak, D. V. Shterental, N. L. Shwartz. – DOI 10.1002/pssb.202100641. – Text : direct // Physica Status Solidi (B). – 2022. – Vol. 259, iss. 11. – Art. 2100641 (8 p). – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Educationand Science of the Russian Federation (project no. 0242-2021-0008).
- Photoelectromagnetic Phenomena in n-type HgCdTe Heterostructures / V. A. Kuznetsov, D. Y. Protasov, V. Y. Kostyuchenko [et al.] ; [sci. ed. D. Y. Protasov]. - DOI: 10.1109/EDM52169.2021.9507591. - Text : direct // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 8-11. - ISBN 978-1-6654-1498-2.
- Poteryaev D. Н-BN: graphene based high conductive composite films for flexible heterostructures / D. Poteryaev ; [науч. рук. N. Shwartz] ; research adviser I. V. Antonova ; language adviser S. V. Nikroshkina. – Текст : непосредственный // Progress through innovations : тр. 10 междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов, Новосибирск, 31 марта 2022 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2022. – С. 76–78.
- Saburova V. I. Modeling of the temperature dependence of polycrystalline-Si conductivity in TCAD Sentaurus environment / V. I. Saburova, V. A. Gridchin, A. S. Cherkaev // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 1, ч. 1. - С. 109-112. - 45 экз. - ISBN(NSTU) 978-5-7782-3614-1.
- Spirina A. A. Initial stages of planar GaAs nanowire growth – Monte Carlo simulation / A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Semiconductors. - 2019. - Vol. 53, iss. 16. - Р. 2125-2128. - DOI: 10.1134/S1063782619120297. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ (grant 18-02-00764).
- Spirina A. A. Simulation of planar nanowire growth based on AIIIBV semiconductors [Electronic resource] / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // 20 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2019 : conf. proc., Altai Republic, Erlagol, 29 June – 3 July, 2019. – IEEE, 2019. – P. 36-39. - Mode of access: http:// https://ieeexplore.ieee.org/document/8823490/authors#authors. - Title from screen - ISBN 978-1-7281-1753-9. - DOI: 10.1109/EDM.2019.8823490.
- Strain-Sensing Properties of Chitosan-Based Film Composites / V. A. Kuznetsov, D. I. Gapich, A. A. Fedorov [et. al.]. - DOI 10.1109/APEIE52976.2021.9647684. - Text : direct // Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2021) : proc. of the 15 intern. sci. and techn. conf., Novosibirsk, 19–21 Nov. 2021. – Novosibirsk : Publ. NSTU, 2021. – P. 5-8. - ISBN 978-1-6654-3408-9.
- Tackling residual tensile stress in AlN-on-Si nucleation layers via the controlled Si(111) surface nitridation / D. Milakhin, T. Malin, V. Mansurov, D. Bashkatov [et all]. - DOI 10.1016/j.surfin.2024.104817. - Text : direct // Surfaces and Interfaces. - 2024. - Vol. 51. - Art. 104817. - This work was supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation within the state task FWGW-2022\u20130015 \u201CAmmonia molecular beam epitaxy of GaN heterostructures on silicon substrates for power and microwave transistors\u201D.
- Zhikharev P. Conditions for the Formation of Vertical Nanowires and Crystalline Clusters of GaAs during the Self-Catalyzed Growth / P. Zhikharev, A. Nastovjak, N. Shwartz ; [sci. ed. N. L. Shwart]. - DOI: 10.1109/EDM52169.2021.9507696. - Text : direct // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 62-66. - 100 copy. - ISBN 978-1-6654-1498-2.
- Zhikharev P. V. Effect of mask-film properties on the initial GaAs nanowire growth stages / P. V. Zhikharev, N. L. Shwartz. - DOI 10.1088/1742-6596/2227/1/012015. - Text : electronic // Journal of Physics: Conference Series. - 2022. - Vol. 2227 : 23 Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021), 22-26 Nov. 2021. - Art. 012015 (5 p.). - URL: https: // iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2227/1/012015/meta. - Publication date: 25.04.2022. - Работа выполнена : при поддержке Ministry of Education and Science of the Russian Federation (Project № 0242-2021-0008).
- Zhikharev P. V. Monte Carlo Simulation of GaSb Cluster Formation on Si(111) substrate [Electronic resource] / P. V. Zhikharev, N. L. Shwartz // 21 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : proc., Altai Republic, 29 June – 3 July 2020. – Novosibirsk : IEEE, 2020. - P. 9-13. - Mode of access: https://ieeexplore.ieee.org/document/9153540. - Title from screen - ISBN 978-1-7281-6846-3. - DOI: 10.1109/EDM49804.2020.9153540. - Работа выполнена : при поддержке RFBR (grant 18-02- 00764), and by the Russian Academy of Sciences Programs.
- Исследование температурных зависимостей электросопротивления композитов сегрегированной структуры на основе поливинилхлорида / В. А. Колодина, В. А. Кузнецов, М. В. Гудков, К. А. Шиянова ; науч. рук. В. А. Кузнецов. - Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 410. - 40 экз. - ISBN 978-5-4387-1072-1. – Работа выполнена : за счет гранта Российского научного фонда №21-79-00224, https://rscf.ru/project/21-79-00224/.
- Моделирование высокотемпературных отжигов массива нанопроволок GAAS = Simulation of high-temperature annealing of GAAS nanowire array / А. Г. Настовьяк, Д. В. Штеренталь, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц. - DOI 10.29003/m3071.MMMSEC-2022/71-74. - Текст : непосредственный // Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов : материалы 4 междунар. конф., Москва, 24–26 окт. 2022 г. – Москва : МАКС Пресс, 2022. – С. 71–74. - ISBN 978-5-317-06871-4.
- Моделирование отжига нанопроволок GAAS / А. Г. Настовьяк, Д. В. Штеренталь, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц. - Текст : электронный // Нанофизика и наноэлектроника : труды 26 междунар. симпозиума, Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г. – Нижний Новгород : Изд-во ННГТУ, 2022. – Т. 2. – С. 944–945. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=48209070&selid=49778179 (дата обращения: 26.12.22). - ISBN 978-5-91326-720-7. – Работа Выполнена : при поддержке программы Минобрнауки РФ (№ 0242-2021-0008).
- Полимерные композиционные материалы для сенсорной электроники / В. А. Кузнецов, А. А. Федоров, Д. И. Гапич, А. С. Чухарева и др. – Текст : непосредственный // 13 Сибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур (ОКНО–2021) : сб. тез. докл., Новосибирск, 24–25 мая 2021 г. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2021. – С. 37. - Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 19-42-543018 (работы по синтезу и исследованию композитов на основе полибензимидазола) и при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 20-33-90189 Аспиранты (работы по синтезу композитов на основе хитозана).
- Потеряев Д. А. Исследование проводимости пленок на основе композитных наночастиц графен – гексагональный нитрид бора / Д. А. Потеряев ; науч. рук. И. В. Антонова. - Текст : непосредственный // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. 15 Всерос. науч. конф. молодых ученых, посвящ. Году науки и технологий в России, Новосибирск, 6–10 дек. 2021 г. : в 10 ч. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2021. – Ч. 3. – С. 226-229. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-4565-5.
- Решеточная Монте-Карло модель ленгмюровского испарения полупроводников AIIIBV = Lattice Monte Carlo model of Langmuir evaporation of AIIIBV semiconductors / А. А. Спирина, А. Г. Настовьяк, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц // Вычислительные технологии = Vychislitel'nye tekhnologii. – 2018. – Т. 23, № 6. – С. 80–92. – DOI: 10.25743/ICT.2018.23.6.008. – Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ (проект № 16-31-00120) и прогр. Президиума РАН (№ 00023).
- Сабурова В. И. Моделирование температурной зависимости проводимости пленок поликристаллического кремния в среде TCAD Sentaurus = TCAD simulation of the temperature dependence of conductivity in polycrystalline silicon films / В. И. Сабурова, Г. Н. Камаев, А. С. Черкаев // Физика твердого тела : сб. материалов 16 Рос. науч. студ. конф., Томск, 17–20 апр. 2018 г. – Томск: Изд-во НТЛ, 2018. – С. 225–227. - 100 экз. - ISBN 978-5-89503-616-7.
- Спирина А. А. Условия формирования планарных нанопроволок GaAs (моделирование) [Электронный ресурс] / А. А. Спирина, Н. Л. Шварц // Полупроводники–2019 : тез. докл. 14 Рос. конф. по физике полупроводников, Новосибирск, 9–13 сент. 2019 г. – Москва : Перо, 2019. – Ч. 1. – С. 133. – Режим доступа: https://www.isp.nsc.ru/nauka/izdaniya/semicond2019-abstracts. – Загл. с экрана. – ISBN 978-5-00150-446-7, 978-5-00150-447-4. – DOI: 10.34077/Semicond2019-133. – Работа выполнена при поддержке программ РАН.
- Температурные зависимости электросопротивления в сегрегированных структурах на основе фторопласта и сверхвысокомолекулярного полиэтилена / В. А. Ермаков, В. А. Кузнецов, М. В. Гудков, К. А. Шиянова ; науч. рук. В. А. Кузнецов. - Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 392. - 40 экз. - ISBN 978-5-4387-1072-1. – Работа выполнена : за счет гранта Российского научного фонда №21-79-00224, https://rscf.ru/project/21-79-00224/.
- Тензорезистивные свойства в композитах на основе хитозана / Д. И. Гапич, В. А. Кузнецов, А. С. Буинов, Б. Ч. Холхоев ; науч. рук. В. А. Кузнецов. - Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 370–371. - 40 экз. - ISBN 978-5-4387-1072-1. – Работа выполнена : за счет гранта Российского научного фонда №21-79-00224, https://rscf.ru/project/21-79-00224/ (исследование электрофизических свойств) и при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта №20-33-90189 Аспиранты (синтез композитов на основе хитозана).
- Федоров А. А. Температурные зависимости электросопротивления композитов на основе полибензимидазола / А. А. Федоров, В. А. Кузнецов, Б. Ч. Холхоев ; науч. рук. В. А. Кузнецов. – Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 22 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, посвящ. 125-летию со дня основания Томского политехн. ун-та, Томск, 17–20 мая 2021 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2021. – Т. 2. – С. 388. - Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 19-42-543018.
- Федоров А. А. Температурные зависимости электросопротивления композитов с одностенными углеродными нанотрубками / А. А. Федоров, В. А. Кузнецов, Б. Ч. Холхоев ; науч. рук. В. А. Кузнецов. - Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 478–479. - 40 экз. - ISBN 978-5-4387-1072-1. – Работа выполнена : за счет гранта Российского научного фонда №21-79-00224, https://rscf.ru/project/21-79-00224/.
- Федоров А. А. Электросопротивление композитов на основе полибензимидазола при повышенных температурах / А. А. Федоров, В. А. Кузнецов ; науч. рук. В. А. Кузнецов. – Текст : непосредственный // Материалы 59 международной научной студенческой конференции (МНСК–2021). Физика = Proceedings of the 59 International students scientific conference (ISSC–2021). Physics, Новосибирск, 12–23 апр. 2021 г. – Новосибирск : ИПЦ НГУ, 2021. – С. 97. - Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 19-42-543018.
- Фролов Д. И. Особенности электронного транспорта в слоистом кобальтате YBaCo4O7+x / Д. И. Фролов, Е. Н. Ткачев, В. А. Кузнецов ; науч. рук. Е. Н. Ткачев. - Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 480–481. - 40 экз. - ISBN 978-5-4387-1072-1.
- Электропроводящие полимерные композиционные материалы для электроники – фундаментальные и прикладные аспекты / В. А. Кузнецов, А. А. Федоров, Д. И. Гапич, А. С. Чухарева и др. – Текст : непосредственный // Новые полимерные композиционные материалы. Микитаевские чтения : материалы 17 междунар. науч.-практ. конф., Нальчик, 5–10 июля 2021 г. – Нальчик : Принт Центр, 2021. – С. 123. - Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 19-42-543018 (работы по синтезу и исследованию композитов на основе полибензимидазола), и при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 20-33-90189 Аспиранты (работы по синтезу композитов на основе хитозана).
Темы выпускных работ: развернуть свернуть
- Влияние рельефа и свойств подложки на морфологию нанопроволок GaAs при самокаталитическом росте
- Исследование влияния SF6:СF4 ICP-плазмы на параметры структурированного кремния
- Исследование влияния условий зарождения и роста плёнок GaP на их свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом МЛЭ
- Исследование механизма формирования КТ GaN на поверхности AlN
- Исследование температурных зависимостей термоЭДС полимерных композитов с одностенными углеродными нанотрубками
- Исследование температурных зависимостей электросопротивления и термоЭДС YBaCo2O5+x
- Монте-Карло моделирование движения капель золота по поверхностям кремния с разными ориентациями
- Пироэлектрические свойства кристаллов твердых растворов барий-стронциевых ниобатов
- Разработка технологии изготовления массивов подвешенных металлических наномостиков методами штамповой и оптической литографии
- Создание и исследование гибких материалов для мемристорных структур на основе фторографена
- Создание и исследование гибких резистивных структур из композитных слоев на основе графена для сенсорных приложений
- Температурное поведение долинного эффекта Холла, обусловленное процессами межчастичного рассеяния
- Физическая реализация синапс устройства на изоляторе Мотта
- Формирование упорядоченных массивов наноструктур оксидов ванадия методом окислительной сканирующей зондовой литографии
- Фотоэлектрические явления в магнитном поле в гетероструктурах n-HgCdTe
- Электронные транспортные свойства в теплостойких полимерных композитах с углеродными нанотрубками
- Электрофизические и магнитные свойства соединения YBaCo3.5Al0.5O7+x с различным содержанием кислорода
Остались вопросы о направлении?
На них ответят:Остертак Д. И.
Гридчин А. В.