Аналитическое оборудование для исследования структуры материалов
Световой микроскоп Carl Zeiss Axio Observer A1m
Производитель: «Carl Zeiss» (Германия)
год выпуска – 2007
Технические характеристики:
- работа в светлом и темном поле
- работа в режиме DIC
- диапазон увеличений: 25 – 1500
- фотокамера AxioCam MRc5: 5 Мп
- модули для автоматического определения размера зерна и содержания второй фазы
Световой микроскоп Carl Zeiss Axio Observer.Z1m
Производитель: «Carl Zeiss» (Германия)
Год выпуска – 2010
Технические характеристики:
- работа в светлом и темном поле
- работа в режиме DIC
- диапазон увеличений: 25 – 1500
- фотокамера AxioCam MRc5: 5 Мп
- модули для автоматического определения размера зерна и содержания второй фазы и др.
Растровый электронный микроскоп Carl Zeiss EVO50 XVP с микроанализатором EDS X-Act (Oxford Instruments) и спектрометром дисперсий по длине волны INCA Wave 700 (5 кристаллов)
Производитель «Carl Zeiss» (Германия)
год выпуска – 2007
Технические характеристики:
- ускоряющее напряжение 0,2 – 30 кВ (20 есть)
- разрешение: 3 нм
- детекторы вторичных и обратнорассеянных электронов
- работа в низком вакууме
- максимальный размер образца 200х200х100 мм
Производитель «Carl Zeiss» (Германия)
год выпуска – 2007
Технические характеристики:
- ускоряющее напряжение 0,2 – 30 кВ (20 есть)
- разрешение: 3 нм
- детекторы вторичных и обратнорассеянных электронов
- работа в низком вакууме
- максимальный размер образца 200х200х100 мм
Растровый электронный микроскоп Carl Zeiss Sigma
Производитель «Carl Zeiss» (Германия)
Технические характеристики:
- ускоряющее напряжение 0,2 – 30 кВ Автоэмиссионный катод Шоттки
- максимальное разрешение: 4 нм
- In-lens SE-внутрилинзовый детектор вторичных электронов
- режим высокого вакуума, режим переменного давления
- максимальный размер образца 200х200х100 мм
Производитель «Carl Zeiss» (Германия)
Технические характеристики:
- ускоряющее напряжение 0,2 – 30 кВ Автоэмиссионный катод Шоттки
- максимальное разрешение: 4 нм
- In-lens SE-внутрилинзовый детектор вторичных электронов
- режим высокого вакуума, режим переменного давления
- максимальный размер образца 200х200х100 мм
Система анализа дифракции отраженных электронов HKL 5 CHANNEL 5 EBSD
Индексирование фаз как с высокой, так и с низкой симметрией, анализ материалов с псевдосимметрией. Гибкие и мощные программы анализа текстур с применением методов полюсных фигур, обратных полюсных фигур, функций распределения ориентации/дезориентации в пространстве Эйлера и др. для любых кристаллических материалов (все 11 групп Лауэ).
Модульный принцип построения – пользователь имеет возможность выбирать программные модули, необходимые для решения его специфических задач (идентификация фаз, картирование ориентации кристаллитов и распределения фаз, анализ текстур методами прямых и обратных полюсных фигур, анализ текстур с использованием моделирования в пространстве Эйлера и др.)
Широкий выбор баз данных кристаллографической информации (стандартная база данных – NIST >10 000 фаз, дополнительно можно подключать базы ICSD, American Mineralogist и др. с общим числом фаз более 100 000).
Индексирование фаз как с высокой, так и с низкой симметрией, анализ материалов с псевдосимметрией. Гибкие и мощные программы анализа текстур с применением методов полюсных фигур, обратных полюсных фигур, функций распределения ориентации/дезориентации в пространстве Эйлера и др. для любых кристаллических материалов (все 11 групп Лауэ).
Модульный принцип построения – пользователь имеет возможность выбирать программные модули, необходимые для решения его специфических задач (идентификация фаз, картирование ориентации кристаллитов и распределения фаз, анализ текстур методами прямых и обратных полюсных фигур, анализ текстур с использованием моделирования в пространстве Эйлера и др.)
Широкий выбор баз данных кристаллографической информации (стандартная база данных – NIST >10 000 фаз, дополнительно можно подключать базы ICSD, American Mineralogist и др. с общим числом фаз более 100 000).
Просвечивающий электронный микроскоп Tecnai G2 FEI с приставкой для химического анализа EDAX
Производитель «FEI» (Нидерланды)
Год выпуска – 2007
Технические характеристики:
- ускоряющее напряжение 20-200 кВ;
- разрешающая способность по точкам режим ПЭМ не хуже 0,27 нм;
- разрешающая способность по линиям режим ПЭМ не хуже 0,14 нм
Структурные исследования, фазовый микроанализ.
Производитель «FEI» (Нидерланды)
Приставка для химического анализа EDAX:
- кремний-литиевый детектор;
- регистрация всех элементов, начиная от бериллия;
- разрешение по энергиям 136 эВ;
- рабочая площадь детектора 30 мм2
Производитель «FEI» (Нидерланды)
Год выпуска – 2007
Технические характеристики:
- ускоряющее напряжение 20-200 кВ;
- разрешающая способность по точкам режим ПЭМ не хуже 0,27 нм;
- разрешающая способность по линиям режим ПЭМ не хуже 0,14 нм
Структурные исследования, фазовый микроанализ.
Производитель «FEI» (Нидерланды)
Приставка для химического анализа EDAX:
- кремний-литиевый детектор;
- регистрация всех элементов, начиная от бериллия;
- разрешение по энергиям 136 эВ;
- рабочая площадь детектора 30 мм2