Центр коллективного пользования «Материаловедение и нанотехнологии»
Кафедра полупроводниковых приборов и микроэлектроники Оборудование
Образовательная деятельность
|
Научная и научно-производственная деятельность
- создание базовой технологии получения гетероэпитаксиальных структур «полупроводник на изоляторе» в замкнутом технологическом цикле методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- разработка научных основ физики и технологии создания монолитных широкоформатных матриц фотоприемных устройств инфракрасного и субмиллиметрового диапазона на основе структур PbSnTe:In на Si с буферными наноразмерными слоями CaF2/BaF2
- разработка оптических элементов для нанофотоники на основе структур «кремний на изоляторе» Si/CaF2/Si
- создание тепловизионной аппаратуры высокого разрешения на основе неохлаждаемых матричных фотоприемных устройств (совместно с НПО «Восток»)
Коллективом центра получены патенты
- «Емкостный датчик давления», патент № 2251087
- «Способ измерения малых переменных тепловых потоков», патент № 2274839
- «Интегральное многоэлементное фотоприемное устройство инфракрасного диапазона», патент № 2278446
- «Инжекционное светоизлучающее устройство», патент № 2300855
Расположение: IV корпус НГТУ, к. 130
Контактная информация:
Руководитель центра – д.т.н., профессор кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники Александр Андреевич Величко
Тел. (383) 346-08-75
Эл. почта: velichko@amber.ref.nstu.ru