И. Г. Неизвестному — 90 лет!
Новости
26 ноября 2021 года исполняется 90 лет со дня рождения члена-корреспондента Российской академии наук, доктора физико-математических наук, профессора Игоря Георгиевича НЕИЗВЕСТНОГО.
Игорь Георгиевич НЕИЗВЕСТНЫЙ — член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук, профессор, специалист в области физики полупроводников, низкоразмерных структур, физики твердого тела, полупроводниковых приборов и микросистем. Основные направления его исследований связаны с изучением физических процессов взаимодействия излучения с полупроводниковыми структурами, процессов на границе раздела полупроводника с диэлектриком, компьютерным моделированием роста одно- и двумерных структур (нановискеров и тонких пленок), а также с квантовой криптографией.
Игорь Георгиевич родился 26 ноября 1931 года в Одессе, после войны оказался в Москве, поступил в Московский энергетический институт им. В.М. Молотова на специальность «Диэлектрики и полупроводники» и успешно окончил его в 1956 г. В том же году вышла его первая научная работа. В 1962 г. в числе молодых специалистов в составе группы академика А.В. Ржанова он приехал в Новосибирск, где и принимал активное участие в организации Института физики полупроводников в качестве заместителя директора института (с 1962 по 1973 годы). В 1966 г. Игорь Георгиевич успешно защитил кандидатскую диссертацию на тему «Исследование природы центров рекомбинации носителей заряда на поверхности германия», а в 1971 г. за научные достижения и вклад в организацию и развитие Института физики полупроводников СО АН СССР он был награжден орденом Трудового Красного Знамени.
С 1973 по 1980 год Игорь Георгиевич заведовал лабораторией физики и технологии германиевых МДП-структур. В 1980 г. он успешно защитил докторскую диссертацию на тему «Исследование границы раздела германий — диэлектрик» и вновь стал заместителем директора ИФП СО АН СССР, впоследствии переименованного в ИФП СО РАН. В 1983 г. ему было присвоено звание профессора, а в 1990 г. он был избран членом-корреспондентом АН СССР по отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации, специальность «Элементная база вычислительной техники». В 2003 г. постановлением президиума РАН Игорь Георгиевич был переведен на должность советника РАН, которую занимает по настоящее время.
Проводимые им комплексные исследования систем «полупроводник — диэлектрик» на основе германия и соединений A(III)B(V) позволили углубить фундаментальные знания о природе центров захвата и рекомбинации на границе раздела разнородных материалов. Это позволило улучшить стабильность работы приборов микроэлектроники и микросистемной техники. Под руководством И.Г. Неизвестного и при его непосредственном участии была выполнена большая работа в области исследования квантово-размерных эффектов в приповерхностных слоях полупроводника. Впервые была доказана возможность существования поверхностной сверхрешетки на вицинальных поверхностях кремния. Были исследованы и другие фундаментальные закономерности физики полупроводников и полупроводниковых структур.
30 июня 1995 г. совместно с группой ученых СО РАН Игорь Георгиевич был удостоен звания лауреата Государственной премии «за открытие, экспериментальное и теоретическое исследование нового класса фоточувствительных полупроводниковых материалов». Этим классом материалов стали сложные полупроводники типа PbSnTe, для создания которых был применен метод молекулярно-лучевой эпитаксии.
Игорь Георгиевич стоял у истоков создания филиала кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники (ППиМЭ) в Новосибирском электротехническим институте (ныне Новосибирский государственный технический университет НЭТИ). При его непосредственном участии создавались и проводились многие научные мероприятия, такие как Международная конференция молодых специалистов по электронным приборам и материалам (IEEEEDM), проводившаяся с 2000 по 2011 г. на базе кафедры ППиМЭ, и с 2012 г. — на базе кафедры электротехники и электроники НГТУ НЭТИ. Он также является автором ряда курсов по физике полупроводников, физике структур с пониженной размерностью и физике микросистем. Его лекции всегда были интересными, Игорь Георгиевич много лет читал лекции по введению в специальность и увлекал молодежь к познанию физики различных процессов, особенно в полупроводниках. За учебное пособие «Основы наноэлектроники», написанное им в соавторстве с профессорами кафедры ППиМЭ НГТУ НЭТИ В.П. Драгуновым и В.А. Гридчиным, Игорь Георгиевич был удостоен награды Министерства образования Российской Федерации.
Игорь Георгиевич является автором и соавтором 170 научных работ, в том числе 7 монографий и 4 авторских свидетельств. Под его руководством защищено 7 докторских и 15 кандидатских диссертаций. За свою плодотворную деятельность он имеет почетные грамоты и благодарности РАН, Министерства образования и науки России, губернатора Новосибирской области, президента РАН. Он также избран Почетным профессором Одесского национального университета.
Горячо и сердечно поздравляем Игоря Георгиевича с юбилеем, желаем здоровья и бодрости!
Игорь Георгиевич НЕИЗВЕСТНЫЙ — член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук, профессор, специалист в области физики полупроводников, низкоразмерных структур, физики твердого тела, полупроводниковых приборов и микросистем. Основные направления его исследований связаны с изучением физических процессов взаимодействия излучения с полупроводниковыми структурами, процессов на границе раздела полупроводника с диэлектриком, компьютерным моделированием роста одно- и двумерных структур (нановискеров и тонких пленок), а также с квантовой криптографией.
Игорь Георгиевич родился 26 ноября 1931 года в Одессе, после войны оказался в Москве, поступил в Московский энергетический институт им. В.М. Молотова на специальность «Диэлектрики и полупроводники» и успешно окончил его в 1956 г. В том же году вышла его первая научная работа. В 1962 г. в числе молодых специалистов в составе группы академика А.В. Ржанова он приехал в Новосибирск, где и принимал активное участие в организации Института физики полупроводников в качестве заместителя директора института (с 1962 по 1973 годы). В 1966 г. Игорь Георгиевич успешно защитил кандидатскую диссертацию на тему «Исследование природы центров рекомбинации носителей заряда на поверхности германия», а в 1971 г. за научные достижения и вклад в организацию и развитие Института физики полупроводников СО АН СССР он был награжден орденом Трудового Красного Знамени.
С 1973 по 1980 год Игорь Георгиевич заведовал лабораторией физики и технологии германиевых МДП-структур. В 1980 г. он успешно защитил докторскую диссертацию на тему «Исследование границы раздела германий — диэлектрик» и вновь стал заместителем директора ИФП СО АН СССР, впоследствии переименованного в ИФП СО РАН. В 1983 г. ему было присвоено звание профессора, а в 1990 г. он был избран членом-корреспондентом АН СССР по отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации, специальность «Элементная база вычислительной техники». В 2003 г. постановлением президиума РАН Игорь Георгиевич был переведен на должность советника РАН, которую занимает по настоящее время.
Проводимые им комплексные исследования систем «полупроводник — диэлектрик» на основе германия и соединений A(III)B(V) позволили углубить фундаментальные знания о природе центров захвата и рекомбинации на границе раздела разнородных материалов. Это позволило улучшить стабильность работы приборов микроэлектроники и микросистемной техники. Под руководством И.Г. Неизвестного и при его непосредственном участии была выполнена большая работа в области исследования квантово-размерных эффектов в приповерхностных слоях полупроводника. Впервые была доказана возможность существования поверхностной сверхрешетки на вицинальных поверхностях кремния. Были исследованы и другие фундаментальные закономерности физики полупроводников и полупроводниковых структур.
30 июня 1995 г. совместно с группой ученых СО РАН Игорь Георгиевич был удостоен звания лауреата Государственной премии «за открытие, экспериментальное и теоретическое исследование нового класса фоточувствительных полупроводниковых материалов». Этим классом материалов стали сложные полупроводники типа PbSnTe, для создания которых был применен метод молекулярно-лучевой эпитаксии.
Игорь Георгиевич стоял у истоков создания филиала кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники (ППиМЭ) в Новосибирском электротехническим институте (ныне Новосибирский государственный технический университет НЭТИ). При его непосредственном участии создавались и проводились многие научные мероприятия, такие как Международная конференция молодых специалистов по электронным приборам и материалам (IEEEEDM), проводившаяся с 2000 по 2011 г. на базе кафедры ППиМЭ, и с 2012 г. — на базе кафедры электротехники и электроники НГТУ НЭТИ. Он также является автором ряда курсов по физике полупроводников, физике структур с пониженной размерностью и физике микросистем. Его лекции всегда были интересными, Игорь Георгиевич много лет читал лекции по введению в специальность и увлекал молодежь к познанию физики различных процессов, особенно в полупроводниках. За учебное пособие «Основы наноэлектроники», написанное им в соавторстве с профессорами кафедры ППиМЭ НГТУ НЭТИ В.П. Драгуновым и В.А. Гридчиным, Игорь Георгиевич был удостоен награды Министерства образования Российской Федерации.
Игорь Георгиевич является автором и соавтором 170 научных работ, в том числе 7 монографий и 4 авторских свидетельств. Под его руководством защищено 7 докторских и 15 кандидатских диссертаций. За свою плодотворную деятельность он имеет почетные грамоты и благодарности РАН, Министерства образования и науки России, губернатора Новосибирской области, президента РАН. Он также избран Почетным профессором Одесского национального университета.
Горячо и сердечно поздравляем Игоря Георгиевича с юбилеем, желаем здоровья и бодрости!