Научная работа студентов
ОНИРС СНО Молодежные лаборатории
10 учебная неделя
pk@nstu.ru, +7 (383) 319 59 99 — приёмная комиссия

Малин Тимур Валерьевич

Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук

Название диссертации:
«Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов»
Специальность:
1.3.11 - «Физика полупроводников»
Научный руководитель:
Мансуров Владимир Геннадиевич, кандидат физико-математических наук, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, лаборатория №18, старший научный сотрудник.
Диссертационный совет: 24.2.347.01
Диссертация (на правах рукописи):
Диссертация размещена: 27.12.2024 г.
Автореферат диссертации:
Отзыв научного руководителя на диссертацию:
Отзыв ведущей организации на диссертацию:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет управления и радиоэлектроники». 634050, г. Томск, пр. Ленина, 40. Тел.: 8 (3822) 51-05-30, факс: 8 (3822) 51-32-62, адрес электронной почты: office@tusur.ru, официальный сайт: www.tusur.ru Дата размещения отзыва 09.04.2025 года.  скачать файл PDF 1.32 МБ
Список публикаций работников в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет: скачать файл PDF 405 КБ
Отзывы официальных оппонентов на диссертацию:
  1. Жмерик Валентин Николаевич, доктор физико-математических наук, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, лаборатория оптики кристаллов и гетероструктур с экстремальной двумерностью, главный научный сотрудник. Дата размещения отзыва 09.04.2025 года .  скачать файл PDF 1.01 МБ
    Список основных публикаций оппонента в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет скачать файл PDF 1.47 МБ
  2. Гейдт Павел Викторович, кандидат физико-математических наук, Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Новосибирский национальный исследовательский государственный университет», лаборатория функциональной диагностики низкоразмерных структур для наноэлектроники аналитического и технологического исследовательского центра физического факультета, заведующий лабораторией. Дата размещения отзыва 09.04.2025 года.  скачать файл PDF 0.99 МБ
    Список основных публикаций оппонента в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет скачать файл PDF 1.1 МБ
Отзывы на автореферат диссертации:
  1. Мизеров Андрей Михайлович, кандидат физико-математических наук, Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический Университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук", лаборатория наноэлектроники, ведущий научный сотрудник. Дата размещения отзыва 10.04.2025 года. скачать файл PDF 327 КБ
  2. Енишерлова Кира Львовна, доктор технических наук, Акционерное общество «Научно-производственное предприятие «Пульсар», лаборатория, начальник. Дата размещения отзыва 10.04.2025 года. скачать файл PDF 1.51 МБ
  3. Катков Андрей Виктрович, PhD, Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», центр радофотоники и СВЧ технологий, ведущий инженер.. скачать файл PDF 764 КБ
Решение диссертационного совета от 17.02.2025 г.: принять диссертацию к защите.
Объявление о защите:
25 апреля 2025 г. в 10:00 в конференц-зале на заседании диссертационного совета 24.2.347.01 по адресу: 630073, г. Новосибирск, пр. К. Маркса, 20 состоится защита диссертации Малина Тимура Валерьевича на тему «Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 1.3.11 - «Физика полупроводников».
Замечания и предложения по диссертации направлять Марченко Андрею Ивановичу, заведующему сектором диссертационных советов по эл. почте:
Размещение информации на странице:
Данные из Информационной системы  
Наверх